ಚಿತ್ರ:Fib tem sample.jpg
ನ್ಯಾವಿಗೇಷನ್ಗೆ ಹೋಗು
ಹುಡುಕಲು ಹೋಗು
ಈ ಮುನ್ನೋಟ ಗಾತ್ರ:೭೬೮ × ೬೦೦ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳು. ಇತರ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ಗಳು: ೩೦೭ × ೨೪೦ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳು | ೬೧೫ × ೪೮೦ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳು | ೯೮೩ × ೭೬೮ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳು | ೧,೦೨೪ × ೮೦೦ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳು.
ಮೂಲ ಕಡತ (೧,೦೨೪ × ೮೦೦ ಚಿತ್ರಬಿಂದು, ಫೈಲಿನ ಗಾತ್ರ: ೨೦೫ KB, MIME ಪ್ರಕಾರ: image/jpeg)
ಸಾರಾಂಶ
| ವಿವರ |
English: SEM micrograph of a wide-bandgap semiconductor prepared for TEM by focused-ion-beam milling. Deutsch: SEM-Bild eines Halbleiters der fuer Aufnahmen im TEM mit einer FIB praepariert wurde. |
| ದಿನಾಂಕ | |
| ಆಕರ | English wikipedia |
| ಕರ್ತೃ | english User:Cm the p |
ಪರವಾನಗಿ
  
|
ಈ ಕಡತ ಕ್ರಿಯೇಟಿವ್ ಕಾಮನ್ಸ್ Attribution -Share Alike 3.0 Unported ಪರವಾನಗಿ ಹೊಂದಿದೆ. Subject to disclaimers. | |
| ||
| This licensing tag was added to this file as part of the GFDL licensing update. |
|
GNU ಉಚಿತ ಡಾಕ್ಯುಮೆಂಟೇಶನ್ ಪರವಾನಗಿ, ಆವೃತ್ತಿಯ ನಿಯಮಗಳ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಈ ಡಾಕ್ಯುಮೆಂಟ್ ಅನ್ನು ನಕಲಿಸಲು, ವಿತರಿಸಲು ಮತ್ತು/ಅಥವಾ ಮಾರ್ಪಡಿಸಲು ಅನುಮತಿಯನ್ನು ನೀಡಲಾಗಿದೆ. 1.2 ಅಥವಾ ಯಾವುದೇ ನಂತರದ ಆವೃತ್ತಿಯನ್ನು ಉಚಿತ ಸಾಫ್ಟ್ವೇರ್ ಫೌಂಡೇಶನ್ ಪ್ರಕಟಿಸಿದೆ; ಯಾವುದೇ ಅಸ್ಥಿರ ವಿಭಾಗಗಳಿಲ್ಲದೆ, ಮುಖ ಪಠ್ಯಗಳಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಹಿಂದಿನ ಕವರ್ ಪಠ್ಯಗಳಿಲ್ಲ. ಪರವಾನಗಿಯ ಪ್ರತಿಯನ್ನು GNU ಉಚಿತ ಡಾಕ್ಯುಮೆಂಟೇಶನ್ ಪರವಾನಗಿ ಎಂಬ ವಿಭಾಗದಲ್ಲಿ ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ. Subject to disclaimers. |
ಕಡತದ ಇತಿಹಾಸ
ದಿನ/ಕಾಲ ಒತ್ತಿದರೆ ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಈ ಕಡತದ ವಸ್ತುಸ್ಥಿತಿ ತೋರುತ್ತದೆ.
| ದಿನ/ಕಾಲ | ಕಿರುನೋಟ | ಆಯಾಮಗಳು | ಬಳಕೆದಾರ | ಟಿಪ್ಪಣಿ | |
|---|---|---|---|---|---|
| ಪ್ರಸಕ್ತ | ೧೫:೩೬, ೩ ಫೆಬ್ರವರಿ ೨೦೦೭ | | ೧,೦೨೪ × ೮೦೦ (೨೦೫ KB) | wikimediacommons>EdC | {{Information |Description=SEM micrograph of a wide-bandgap semiconductor prepared for TEM by focused-ion-beam milling. |Source=English wikipedia |Date=9 March 2006 |Author=english User:Cm the p |Permission= |other_versions= }} [[category:Focused Ion Bea |
ಕಡತ ಬಳಕೆ
ಈ ಕೆಳಗಿನ ಪುಟವು ಈ ಚಿತ್ರಕ್ಕೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದೆ:
